Radio-Frequency Modeling of Double and Single Gate TFETs with Silicon Carbide Polymer
سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 365
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ECCIRD02_009
تاریخ نمایه سازی: 8 تیر 1398
چکیده مقاله:
This paper investigated the radio-frequency (RF) performances of double and single gate tunneling field-effect transistors (TFETs) with silicon carbide polymer including cut-off and maximum oscillation frequencies. The radio-frequency parameters have been extracted by means of a nonquasistatic (NQS) radio-frequency model. The results show that the double gate TFET with silicon carbide polymer has higher on-current, cut-off and maximum oscillation frequencies than single gate TFET with silicon carbide polymer. The modeled Y-parameters are in close agreement with the extracted parameters for high frequency range. The results suggest that, the double gate TFET with silicon carbide polymer seem to be the most optimal ones to replace MOSFET for ultralow power applications.
کلیدواژه ها:
Radio-frequency (RF) ، maximum oscillation frequency ، silicon carbide polymer ، Tunneling field-effect transistor (TFET)
نویسندگان
Malihe Mahoodi
Department of Electrical Engineering Ferdowsi University of Mashhad Mashhad, Iran
Saeid Marjani
Department of Electrical Engineering Ferdowsi University of Mashhad Mashhad, Iran
Behnam Dorostkar
Department of Electrical Engineering Vahdat Higher Education Institue Torbat-e Jam, Iran