بهبود مشخصات سلول خورشیدی بس بلوری CdS/CdTe با استفاده از لایه جاذب GaSb
سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 463
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ECCIRD02_007
تاریخ نمایه سازی: 8 تیر 1398
چکیده مقاله:
در این مقاله، اثر لایه جاذب GaSb بر روی کارآیی یک سلول خورشیدی با پیوند دوگانه CdS/CdTe مورد بررسی قرار گرفته است. در ابتدا، مشخصات الکتریکی سلول خورشیدی CdS/CdTe مرجع را، شبیه سازی و اعتبار سازی شده و با نتایج تجربی سلول خورشیدی CdS/CdTe ساخته شده، مقایسه می شود. به منظور افزایش بازده، یک ساختار جدید با استفاده از لایه جاذب GaSb ارائه شده است که سبب کاهش ضخامت سلول نیز می شود. نتایج نشان می دهد با استفاده از لایه جاذب GaSb می توان بازدهی سلول خورشیدی را 3/4 درصد در مقایسه با سلول مرجع افزایش داد. تحت شرایط AM 1/5، ولتاژ مدار باز و چگالی جریان اتصال کوتاه و ضریب پری و بازده ساختار سلول خورشیدی بهینه شده به ترتیب 0/91V؛ (28/2mA/cm(2؛ 0/84 و 21/4% هستند.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
ملیحه ماهودی
گروه برق، دانشکده مهندسی، دانشگاه فردوسی مشهد، مشهد، ایران
سعید مرجانی
گروه برق، دانشکده مهندسی، دانشگاه فردوسی مشهد، مشهد، ایران
بهنام درستکار
گروه برق، دانشکده مهندسی، موسسه آموزش عالی وحدت، تربت جام، ایران