Strain Effects on the Drain Current Hysteresis of Ferroelectric DGFET
سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 315
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF05_280
تاریخ نمایه سازی: 21 خرداد 1398
چکیده مقاله:
The effects of biaxial strain on the drain current hysteresis of ferroelectric double gate field effect transistor (FeDGFET) have been investigated. Single layer MoS2 has been used as the channel and top-of-the-barrier model has been used to calculate drain current of FeDGFET. The results indicate that by applying strain, ON-current of thetransistor increases. Besides, tensile strain decreases drain current hysteresis and increases drain-source resistance by a factor of 2 while compressive strain has an inverse effects.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Manouchehr Hosseini
Department of Electrical Engineering, Bu-Ali Sina University, Hamedan, Iran
Zahra Sohrabi
Department of Electrical Engineering, Bu-Ali Sina University, Hamedan, Iran