Band Structure Effect on Carbon Nanotubes Carrier Drift Velocity

سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 2,259

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NEEC02_059

تاریخ نمایه سازی: 7 بهمن 1388

چکیده مقاله:

A single wall Carbon nanotube (SWCNT) is a sheet of graphite (called graphene) rolled up into a cylinder. Band structure of carbon nanotube (CNT) is obtained from the graphene band structure. It has been shown the band energy of CNT near to the minimum band energy is parabolic. However it’s not parabolic in other regions. In the parabolic band structure Fermi-Dirac Integrals for carrier study are sufficient, because tabulated solutions are available. On the contrary, for non-parabolic condition density of state and carriers velocity proportion of numerical integrals those are different from Fermi integrals. The carrier statistics to all degeneracy level is presented and its limits obtained. In the nondegenrate regime the results reproduce what is expected from, the Boltzmann statistics. However, the results differ in degenerate regime. The Fermi energy with respect to the transformed conduction band edge is a function of carrier concentration. Given density of state the carrier concentration is obtained based on the Numerical method as an alternative for Fermi – Dirac integrals that we call it Carbon nanotube Fermi integral. Fermi energy with respect to band edge is function of temperature that independent of the carrier concentration in the nondegenrate regime. In the other strongly degenerate, the Fermi energy is a function of carrier concentration appropriate for given dimensionality, but is independent of temperature. On the other hand in no degenerate regime for total part of the band structure carrier velocity limit has been presented.

نویسندگان

Mehran Emadi

Department of Computer Engineering, Islamic Azad University, Mobarakeh Branch, Mobarakeh, Iran

Mohammad Taghi Ahmadi

Faculty of Electrical Engineering University Technology of Malaysia, Johor,Malaysia

Razali Ismail

Faculty of Electrical Engineering University Technology of Malaysia, Johor,Malaysia

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • IEEE Electro, Device Lett. vo, 18, pp. 361-363, July 1997. ...
  • K. Natori, :Ballistic metal-oxide- S emi conductor field effecttransistor; J. ...
  • F. Assad, Z. Ren, D. Vasileska, S. Datta, and M. ...
  • J. W. G. Wild Oer, L. C. Venema, A. G. ...
  • _ _ _ _ _ _ _ role of quantum ...
  • نمایش کامل مراجع