بررسی مدهای فونون های اپتیکیدر یک نانوساختار نیمه رسانا
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 912
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JAPAZ-4-1_005
تاریخ نمایه سازی: 18 خرداد 1398
چکیده مقاله:
به کمک تقریب دی الکتریک پیوسته، مدهای فونون های اپتیکی حاصل از فصل مشترک یک سیم کوانتومی استوانه ای از جنس GaAs در یک محیط نیمه رسانای قطبی GaxAl1-xAs بررسی شده است. نتایج به دست آمده دو شاخه متفاوت ( SO1, SO2 ) از مدهای فونونی سطحی را نشان می دهند. با افزایش بردار موج ( )، بسامد هر یک از مدهای فونونی به بسامد یک ساختار صفحه ای تخت نا متجانس همگرا می شود.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :