بررسی مدهای فونون های اپتیکیدر یک نانوساختار نیمه رسانا

سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 912

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_JAPAZ-4-1_005

تاریخ نمایه سازی: 18 خرداد 1398

چکیده مقاله:

  به کمک تقریب دی الکتریک پیوسته، مدهای فونون های اپتیکی حاصل از فصل مشترک یک سیم کوانتومی استوانه ای از جنس GaAs در یک محیط نیمه رسانای قطبی GaxAl1-xAs بررسی شده است. نتایج به دست آمده دو شاخه متفاوت ( SO1, SO2 ) از مدهای فونونی سطحی را نشان می دهند. با افزایش بردار موج ( )، بسامد هر یک از مدهای فونونی به بسامد یک ساختار صفحه ای تخت نا متجانس همگرا می شود.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • H. Panahi and M. Maleki; Binding Energies of Donor States ...
  • Z. P. Wang and X. X. Liang; Chinese Phys. Lett. ...
  • J. J. Licari and R. Evard; Phys. Rev. B 15 ...
  • F. Bras, S. Sauvage, P. Boucaud, J. M. Ortega, and ...
  • Semicond. Sci. Technol. 20 (2005) L10–L13. ...
  • H. Hodovanets, S. L. Budko, X. Lin, V. Taufour, M. ...
  • A. Kreyssig, and P. C. Canfield; Phys. Rev. B 88 ...
  • نمایش کامل مراجع