اثر دز کاشت هیدروژن بر روی خواص ساختاری و نیز الکتریکی تک کریستالهای سیلیکونی

در این تحقیق ، اثرکاشت یون هیدروژن با انرژی 70keV بر خواص میکرو-نانوساختاری(400) p-Si بررسی شده است. برای این امر آنالیزهای پراش اشعه X (XRD)، میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) به منظور مطالعه بر روی ساختارنمونه های آسیب دیده در اثر کاشت انجام شدند. مقاومت الکتریکی صفحه ای نمونه های کاشته شده نیز توسط دستگاه چهار پروبی نقطه ای، اندازه گیری و مورد مطالعه قرار گرفتند. برطبق نتایج XRD، پهنای نصف ارتفاع پیک(400) Si با دزهای مختلف،تغییر کرد، که این تغییرات به تنش و کرنش ایجاد شده بدلیل کاشت، مربوط بود. نتایج AFM تشکیل تاول ها و ترک های حاصل از شکافت آنهارا بواسطه تغییرات دز کاشت نمایش داد. همچنین رابطه تنگی را بین زبری حاصل از کاشت و دز بکار رفته نشان داد. نتایج آزمایش چهار پروبی نیزمؤید همان نتایج آنالیز AFM بوده است.