شبیه سازی عددی رشد استوکیومتریک نقطه های کوانتومی SiC در یک راکتور پلاسمایی

رشد نقطه های کوانتومی (100) SiC/Si و بررسی فرایند رسیدن به یک ترکیب با استوکیومتریک بالا( [Si]/[C]=1:1) در حضور پلاسما، دارای اهمیت ویژه ای در صنعت میکرو/ نانوالکترونیک است. شبیه سازی عددی رشد نقطه های کوانتومی برای دو محیط پلاسما و گاز خنثی نشان می دهد که پلاسما نسبت به گاز خنثی دارای کارایی بهتری برای رسیدن به نقطه های کوانتومی استوکیومتریک SiC است. همچنین نتایج نشان می دهند که درحضور پلاسما آهنگ رشد بزرگتر بوده فاکتور استوکیومتریک اضافه اتم k St، در شرایط مشابه، نسبت به گاز خنثی بیشتر است.