محاسبه تحرک پذیری الکترونها در ساختارهای 4H-SiCو 6H-SiC با استفاده از حل معادله بولتزمن به روش برگشت پذیر در حضور میدانهای الکتریکی ضعیف

در این مقاله وابستگی تحرک پذیری الکترونها به دما و چگالی اتمهای ناخالصی در ساختارهای 4H-SiCو 6H-SiC با حل معادله ترابردی بولتزمن به روش برگشت پذیر محاسبه شده است. در این محاسبه مکانیسمهای پراکندگی یعنی؛ پراکندگی از فونونهای اپتیکی قطبی، فونونهای آکوستیکی (پراکندگی از اثر پیزو الکتریک و پتانسیل تغییر شکل شبکه) و پراکندگی از اتمهای ناخالصی یونیده لحاظ شده است. با افزایش دما از 100 تا 500 درجه کلوین تحرک پذیری الکترونها به طور یکنواخت کاهش می یابد. در دماهای پایینتر با افزایش چگالی اتمهای ناخالصی تحرک پذیری الکترونها افزایش قابل توجه ای می یابد. نتایج بدست آمده از این روش با داده های تجربی در توافق خوبی است.