مطالعه بهره سلول خورشیدی سیلسیمی پیوند P-n استفاده از کد PC1D
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1388
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,457
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC88_365
تاریخ نمایه سازی: 28 دی 1388
چکیده مقاله:
در این مقاله دیود سلول خورشیدی سیلسیمی با استفاده از نرم افزار PC1D شبیه سازی شده است . همچنین اثر پارامترهای گوناگون مانند پوشش ضد بازتاب و چگالی ناخالصی های بخشنده بر روی بهره سلول خورشیدی مطالعه شده است . نتایج بدست آمده نشان می دهد که با افزایش ناخالصی های زمینه مقدار ولتاژ مدار باز (Voc) افزایش و جریان اتصال کوتاه(Isc) کاهش می یابد .
کلیدواژه ها:
نویسندگان
هادی عربشاهی
گروه فیزیک، دانشگاه فردوسی مشهد
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :