بررسی تغییرات اثر فشار پرس و دمای سینترینگ بر روی خواص الکتریکی وریستورهای ZnO-Pr6 O11 آلایش یافته با Y2O3

وریستورها نمونه ای از مواد هوشمند هستند. برای ساخت از روش استاندارد سرامیکها و با اکسیدهای پراسئودیمیم ، کبالت ، کروم و ایتریم با میزان آلایش 0/5 % تا 1% مولی ساخته شد. بعد از توزین ترکیب را بصورت همگن آسیاب نموده و در دمای 750 درجه سانتیگراد به مدت 2 ساعت تکلیس کرده و در سه فشار 3، 4/5 و 6 تن و در دو دمای 1300 و 1350 درجه سانتیگراد سینترکردیم. در نهایت نمونه ها را الکترود گذاری و منحنی I-V آنها را رسم، و با استفاده از آن ولتاژ شکست ، ضریب غیرخطی و جریان نشتی محاسبه نمودیم. افزایش فشار پرس در دمای بازپخت ثابت، ولتاژ شکست ، ضریب غیرخطی و جریان نشتی افزایش می یابند. اما در یک فشار پرس ثابت، افزایش دمای بازپخت باعث افزایش جریان نشتی و کاهش ضریب غیرخطی و ولتاژشکست می شود.

کلیدواژه ها:

دمای سینترینگ ، خواص الکتریکی ، منحنی I-V ، فشار ، وریستور