بررسی خواص ترابرد الکترونها در نیمه رسانای In N برای طراحی و بهینه سازی قطعات اپتوالکترونیکی در حد طول موج بلند

با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو، مدلی سه دره ای برای بررسی خواص ترابرد الکترونها در نیمرسانای InN در حضور میدان های الکتریکی شدید در حالت پایدار و ناپایدار مورد بررسی قرار گرفته است. عوامل مختلف پراکندگی الکترونها از فنون ها و اتم های ناخالصی در این شبیه سازی در نظر گرفته شده است. مطالعات ما نشان می دهد که این ماده دارای سرعت سوق الکترونی بالایی است و با تغییر غلظت نا خالصی ها، تغییرات ناچیزی در خواص ترابردی این ماده ایجاد می شود. همچنین سرعت سوق دراین ماده با تغییرات دما به کندی کاهش می یابد، از این رو انتظار می رود که این ماده قابلیت بالایی در ساخت قطعات اپتیکی از خود نشان دهد. همچنین با استفاده از نمودارهای زمان ترابرد و سرعت سوق الکترونها بر حسب ابعاد قطعه، می توان استفاده از این ماده در ساخت قطعات اپتیکی را بهینه سازی نمود.