تأثیرتوزیع میدان الکتریکی بر آستانه تخریب لیزری چند لایه ها

سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,005

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

IPC88_180

تاریخ نمایه سازی: 28 دی 1388

چکیده مقاله:

جذب پرتو لیزر در لایه نشانی های چند لایه، با شدت میدان الکتریکی متناسب است. کاهش شدت میدان الکتریکی، منجر به افزایش آستانه تخریب لیزری می گردد. می توان شدت میدان الکتریکی را با تغییر طراحی لایه ها، کاهش داد. در این مقاله به بررسی اثر کاهش شدت میدان الکتریکی در بالا بردن آستانه تخریب لیزری چند لایه ها می پردازیم.

نویسندگان

هاشم حجتی راد

پژوهشکده لیزر و اپتیک ، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای

محمدهادی ملکی

پژوهشکده لیزر و اپتیک ، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای

سعید باطنی

گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه گیلان

قاسم عزیزآبادی

پژوهشکده لیزر و اپتیک ، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای