ترانزیستور اثر میدان تونلی بر پایه سیلیکون و ژرمانیوم برای محاسبه توان کم

در این مطالعه ما با طراحی ساختار جدید TFET به عنوان ترانزیستور اثر میدان مغناطیسی عمودی (FAVFET) به پتانسیل مقیاس پذیری قابل مقایسه با FinFET رسیدیم و با اضافه شدن مزایای پیچیدگی فرایند ذخیره سازی که بسیار ذخیره شده است. همچنین، ما عمدتا بر طراحی و اجرای ترانزیستور اثر میدان تونلی بر پایه سیلیکون ژرمانیوم تمرکز کرده ایم، با هدف کاهش ولتاژ کارکرد دستگاه تا کمتر از 0.5V می باشد. ما مدل سازی TCAD را با توجه خاصی به تغییر ساختار باند سیگنیک ژرمانیوم سیلیکون انجام دادیم.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور ، تونلی ، tptfet ، finfet ، tfet ، دستاوردهای نوین ، برق