A New Compact Model for Ambipolar CNFETs
محل انتشار: سومین کنفرانس نانوساختارها
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 2,677
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CNS03_292
تاریخ نمایه سازی: 21 دی 1388
چکیده مقاله:
In this paper previous works on CNFET compact modeling are reviewed and a new compact model for ambipolar CNFETs is suggested. This model employs some other features of ambipolar CNFETs that were not included in previous models such as work function engineering and insulator thickness variation. It also extends the I/V range from only positive VGS and only positive VDS to a full range of positive/negative VGS and VDS , hence, it covers all four possible ranges of bias.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
M. Javad Sharifi
aFacaulty of Electrical and Computer, Shahid Beheshti University, Tehran, Iran
M Sanaeepur
Facaulty of Electrical and Computer, Shahid Beheshti University, Tehran, Iran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :