ساختار الکترونی MgB2 تحت کشش صفحه ای
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1387
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 977
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC87_295
تاریخ نمایه سازی: 24 آذر 1388
چکیده مقاله:
محاسبات ابتدا به ساکن پتانسیل کامل در تقریب شیب تعمیم یافته برای دستگاه MgB2 به منظور بررسی اثر کشش صفحه ای بر ابررسانایی این ماده انجام شده و رفتار پارامتر شبکه محوری c نسبت به کشش صفحه ای بررسی شده است. نتایج نشان می دهد تغییرات c در حدود یک سوم تغییرات پارامتر درون صفحه ای a است. علاوه بر این، چگالی حالتها (DOS) و ساختار نواری (BS) این ماده تحت کشش صفحه ای محاسبه شده است. با اعمال کشش صفحه ای مثبت DOS در سطح فرمی ابتدا افزایش و سپس کاهش می یابد. به ازای کشش صفحه ای منفی، DOS در سطح فرمی به طور یکنواخت کاهش مییابد. از نمودارهای ساختار نواری میتوان دید که نوارهای راستای Γ-A با اعمال کشش مثبت به سمت پایین و با اعمال کشش منفی به سمت بالا منتقل میشوند. بر اساس این محاسبات میتوان نتیجه گیری کرد که به ازای کشش صفحه ای مثبت دمای گذار MgB2 بهبود می یابد.
نویسندگان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :