اثر طول و پهنای نانو نوارهای گرافنی آرمچیر روی رسانش الکتریکی
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1387
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,822
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC87_292
تاریخ نمایه سازی: 24 آذر 1388
چکیده مقاله:
در این مقاله رسانندگی الکتریکی نانو نوارهای گرافن با لبه های آرمچیر در اتصال با دو الکترود فلزی بررسی می شود. سیستم با استفاده از هامیلتونی تقریب یستگی قوی نزدیکترین همسایه با یک الکترون π در هر اتم توصیف شده و رسانندگی الکتریکی توسط فرمول لانداور و روش تابع گرین در فضای حقیقی محاسبه شده است. سپس اثر تغییرات طول و عرض در رسانندگی الکتریکی نانو نوارهای گرافن تحقیق شده است. نتایج محاسبات نشان می دهد که افزایش طول نانو نوار گرافنی در ولتاژهای پایین باعث کاهش در جریان الکتریکی و نهایتاٌ ایجاد گاف در منحنی رسانندگی می شود. کاهش رسانش الکتریکی می تواند ناشی از اثرات تداخل کوانتومی باشد و رسانش حاکم بر ساختار در وضعیت حضور گاف در رسانش، بر اساس تونل زنی تشدیدی توصیف می شود. از سوی دیگر با افزایش پهنای نانو نوار گرافن همراه با افزایش نقاط اتصال الکترودها با ناحیه مرکزی، مسیرهای شارش الکترون از الکترود چپ به ناحیه مرکزی افزایش یافته و رسانش افزایش می یابد. بنابراین، نانو نوارهای گرافنی با لبه آرمچیر در ساختارهای فلز/گرافن/فلز می توانند رفتاری فلزی یا نیمرسانایی از خود نشان دهند.
نویسندگان
مهدی قربانی اصل
گروه فیزیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران شمال
علیرضا صفارزاده
گروه فیزیک، دانشگاه پیام نور، پژوهشکده علوم نانو، پژوهشگاه دانشهای