بررسی خواص ترابرد InP با استفاده از روش مونت کارلو در میدان الکتریکی بالا
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1387
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 886
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC87_249
تاریخ نمایه سازی: 24 آذر 1388
چکیده مقاله:
در این مقاله بستگی دمایی و میدان الکتریکی ترابرد الکترونها در نیمرسانا InP به روش شبیه سازی مونت کارلو بررسی شده ، عوامل مختلف پراکندگی الکترونها از فونونها و ناخالصی های یونیزه نیز در نظر گرفته شده است. با استفاده از یک مدل سه دره ای ، سرعت سوق بدست آمده برای الکترونها در InP در دمای اتاق (فرمول در متن اصلی موجود می باشد) در میدان آستانه (فرمول در متن اصلی) می باشد. چنین سرعت سوق بالایی InP را کاندیدای خوبی جهت طراحی قطعات الکترونی در دما و توان های بالا معرفی می کند.
نویسندگان
زهرا اسلامی مقدم
گروه فیزیک، دانشگاه تربیت معلم سبزوار
هادی عربشاهی
گروه فیزیک، دانشگاه فردوسی مشهد
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :