تقویت کننده ی ترا امپدانس 20Gb/s با کاربرد در گیرنده های فیبر نوری مبتنی بر استفاده از سلف فعال برای افزایش پهنای باند در فناوری 90nm CMOS
محل انتشار: سومین کنفرانس بین المللی مهندسی برق
سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 506
فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICELE03_019
تاریخ نمایه سازی: 18 اسفند 1397
چکیده مقاله:
در این مقاله یک تقویت کننده ی ترا امپدانس در فناوری 90nm CMOS ارایه شده است که از یک سلف فعال بههمراه ساختار کسکود تنظیم شده بهره می برد. عموما برای افزایش محدودیت پهنای باند این تقویت کننده ها در یک بهره یثابت، از سلف های فیزیکی مجتمع استفاده می شود، اما به کار بردن یک سلف فعال می تواند مساحت تراشه ی نهایی رابه اندازه ی قابل توجهی کاهش دهد. در شبیه سازی های انجام شده با استفاده از نرم افزار Cadence Custom IC مقایسه پاسخ فرکانسی تقویت کننده ی ترا امپدانس با حضور سلف فعال و بدون آن ارایه شده است، همچنین جهت مقایسه ی ابعادمدار پیشنهادی در مقابل یک ساختار شامل سلف فیزیکی مجتمع جانمایی های هر دو ارایه شده است. تقویت کننده یشبیه سازی شده دارای پهنای باندی برابر 16.5GHz است که مناسب برای نرخ ارسال اطلاعات 20Gb/s می باشد. علاوه بر این، ساختار پیشنهادی دارای بهره ی 60dBΩ، نویز مجتمع ارجاع داده شده به ورودی 5μA و توان مصرفی 5.3mw می باشد.میباشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سیدروح اله قاسمی
دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی، تهران، ایران
پرویز امیری
دانشیار، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی، تهران، ایران