شبیه سازی و تحلیل ترانزیستور اثر میدانی غیر پیوندی تونلی (JLTFET) با هدف تعیین میزان اثر پذیری شاخص های مهم از مهندسی گیت

در این مقاله به ارایه و بررسی یک ترانزیستور اثر میدانی غیر پیوندی تونلی (JLTFET) پرداخته شده است که با استفاده از شبیه سازی ایده های مهندسی گیت همچون استفاده از گیت چند فلزی و تغییر جنس اکسید گیت در صدد بهبود پارامترهای الکتریکی ترانزیستور فوق مثل جریان روشنایی، جریان خاموشی، نسبت جریان روشنایی به خاموشی و... هستیم. با بررسی شبیه سازی های صورت گرفته، نتایج ساختارهای مختلف با یکدیگر مقایسه شده و ساختار بهبود یافته معرفی می شود.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور اثر میدانی غیر پیوندی تونلی ، دی الکتریک ، تابع کار ، جنس اکسید