شبیه سازی ترانزیستور اثر میدانی غیرپیوندی دارای دو گیت با اکسیدهای مختلف جهت سرکوب جریان خاموشی
سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 318
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
SCECE04_003
تاریخ نمایه سازی: 18 اسفند 1397
چکیده مقاله:
در این مقاله ترانزیستور اثر میدانی غیر پیوندی دارای دو گیت با دو ماده مختلف با استفاده از نرم افزار Silvaco شبیه سازی میشود. بر اساس ایده های گیت دو ماده و اکسید با ضرایب دی الکتریک مختلف، افزاره شبیه سازی شده و نتایج بررسی می شوند. جریانخاموشی، جریان روشنی و نسبت جریان روشنی/ جریان خاموشی توسط الگوی نوار انرژی مورد ارزیابی قرار می گیرند. نتایج ساختار ها با یکدیگر مقایسه شده و ساختار بهبود یافته معرفی می شود.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
امیررضا بزرگی گل افزانی
دانشجوی کارشناسی ارشدمهندسی برق-مدارهای مجتمع الکترونیک ، دانشگاه آزاد اسلامی ، واحد رشت، رشت
سیدعلی صدیق ضیابری
استاد یار گروه برق، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد رشت، رشت، ایران