بررسی یکنواختی لایه نازک SiO2، تولید شده با روش تبخیر باریکه الکترون و تبخیر گرمایی

در این مقاله لایه نازک دی اکسیدسیلیسیم، SiO2، با دو روش تولید شده است: در روش اول، SiO2 مستقیما توسط تفنگ الکترونی تبخیر میشود و همزمان برای جبران کمبود اکسیژن، گاز اکسیژن به محیط تزریق میشود. در روش دوم، منواکسیدسیلسیم، SiO، توسط تبخیر گرمایی بخار میشود و در حین تبخیر آن، زیر لایه با یونهای اکسیژن که توسط یک منبع یون تولید شدهاند بمباران میشود. ضریب شکست، ضریب خاموشی و ضخامت لایه به کمک حل عددی روابط عبور و بازتاب محاسبه شدهاند. از میزان جابهجایی منحنی عبور مقدار نایکنواختی لایه محاسبه شده است. نتایج نشان میدهد که اگر مقدار جریان و انرژی یونهای اکسیژن به طور مناسب انتخاب شوند، لایه SiO2 تولید شده در روش دوم، جذب ندارد. به علاوه لایه SiO2 تولید شده توسط روش دوم به مراتب یکنواخت تر از لایه تولید شده با روش اول میباشد.

کلیدواژه ها:

دی اکسیدسیلیسیم ، منواکسیدسیلسیم ، یکنواختی ، ضریب شکست