بررسی پارامتریک شاخص دوز سی تی توزین شده در فانتوم سر با استفاده از کد شبیه ساز GATE

هدف: بررسی پارامتریک شاخص دوز سی تی توزین شده (CTDI W) در فانتوم سر شامل تغییرات CTDIW بر اساس ولتاژ تیوب (kVp) ، جریان تیوب (mAs) و عرض بیم مواد و روش ها: دستگاه سی تی اسکن 16 اسلایس GE LightSpeed با استفاده از کد GATE شبیه سازی شد. این شبیه سازی در سه مرحله انجام گرفت که عبارتند از : 1) تعریف هندسه دستگاه سی تی اسکن و فانتوم دزیمتری سر 2) مدلسازی چشمه و 3) محاسبات دوزیمتری. در این مطالعه برای اعتبارسنجی مدل شبیه سازی شده، نتایج بدست آمده از شبیه سازی با نرم افزار دزیمتری CT-Expo مقایسه شد. همچنین تاثیر پارامترهای پرتودهی مانند kVp، mAs و عرض بیم بر روی CTDIW بررسی شد. یافته ها: میانگین اختلاف ضخامت نیم لایه HVL طیف پرتو ایکس با نتایج اندازه گیری 1/6% بدست آمد. همچنینCTDI بدست آمده در حفره های مرکز و محیط فانتوم سر (در شرایط پرتودهی kVp 120 و 100، 80 ، mAs 100 و mm 10 بطور میانگین خطای 2% نسبت به Expo -CT دارند. روند تغییرات CTDIW حاصل از مدل شبیه سازی شده نسبت به kVp , mAs میانگین خطا در هر دو مورد 2% و عرض بیم (میانگین خطا 5%) مشابه نرم افزار دزیمتری CTxpo - بدست آمد. نتیجه گیری: بررسی نتایج نشان داد که مدل ارایه شده دارای دقت کافی برای محاسبات دوزیمتری پیشرفته در آزمون های سر است. همچنین مزیت های کد شبیه ساز GATE نسبت به کد شبیه ساز MCNP در مدلسازی دستگاه سی تی اسکن از جمله قابلیت شبیه سازی زمان بطور مستقیم، سرعت بالا در اجرای کد و طیف وسیع خروجی های در دسترس نشان داده شد

کلیدواژه ها:

دوزیمتری سی تی ، مدلسازی دستگاه سی تی اسکن ، پروفایل دوز در سی تی