بررسی خواص فتوولتاییکی پوسته های دو بعدی دی سولفید مولیبدن رشد یافته بر روی زیر لایه سیلیکونی نوع P به روش رسوب دهی بخار شیمیایی گرمایی

سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 503

فایل این مقاله در 16 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

MNTECH01_158

تاریخ نمایه سازی: 23 آذر 1397

چکیده مقاله:

رشد پوسته های دی سولفید مولیبدن mos2 به روش رسوب دهی بخار شیمیایی گرمایی به صورت تک مرحله ای بر روی زیر لایه های sio2/si در دماهای مختلف با تبخیر همزمان پودر گوگرد و اکسید مولیبدن MOO3 صورت گرفت. ساختار بلوری، مورفولوژی، خواص اپتیکی و تعداد لایه های تشکیل شده در پوسته های انباشت شده به ترتیب با استفاده از الگوی پراش اشعه ایکس، میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی، طیف سنجی فرابنفش مریی و طیف سنجی رامان مورد بررسی قرار گرفتند. نتایج به دست آمده نشان می دهد که با افزایش دما، گاف نواری پوسته های تشکیل شده افزایش پیدا کرده است. همچنین با افزایش دمای واکنش، تعداد لایه های تشکیل شده کاهش یافته است که حاکی از تشکیل ساختارهای دوبعدی با ضخامت های اتمی می باشد. از آنجا که نیم رساناهای دو بعدی به دلیل خواص الکتریکی و اپتیکی منحصر به فردشان مورد توجه می باشند در ادوات الکترونیکی و سلول های فتوولتاییکی بسیار مورد توجه واقع شده اند. بنابراین نمونه های به دست آمده برای ساخت سلول های فتوولتاییک به صورت اتصالات p-n مورد استفاده قرارگرفتند و مشخصه جریان ولتاژ آنها ارزیابی شد. نتایج به دست آمده نشان دادند که با کاهش تعداد لایه های دی سولفید مولیبدن بازده و فاکتور پر شدگی سلول های فتوولتاییک کاهش پیدا کرده است

کلیدواژه ها:

پوسته های دو بعدی دی سولفید مولیبدن ، رسوب دهی بخار شمیایی گرمایی ، سلول های فتوولتاییاک و اتصالات p-n

نویسندگان

مریم السادات نیک پی

دانشجوی دکتری ، تهران، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات دانشکده فیزیک پلاسما،

سیده زهرا مرتضوی

استاد یار، قزوین، دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره)، گروه فیزیک،

علی ریحانی

دانشیار، قزوین، دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره)، گروه فیزیک،

سید محمد الهی

دانشیار، تهران، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات دانشکده فیزیک پلاسما،