بررسی تاثیر ناخالصی بر خواص الکترونیکی mos2
محل انتشار: اولین کنفرانس ملی میکرو نانو فناوری
سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 759
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
MNTECH01_009
تاریخ نمایه سازی: 23 آذر 1397
چکیده مقاله:
در این مقاله تاثیر ناخالصی بر خواص الکترونیکی mos2 بررسی می شود. برای این منظور ابتدا تک لایه ای از mos2 به شکل هگزاگونال را در نظر گرفته و ساختار الکترونیکی بدون آلایش آن مورد مطالعه قرار می دهیم. سپس با تاثیر ناخالصی، ساختار الکترونیکی mos2 را مورد بررسی قرار می دهیم. این بررسی توسط نرم افزار شبیه ساز Quantum ESPRESSO و در چارچوب نظریه تابعی چگالی انجام شده است. مشاهده می شود که ناخالصی سبب نغییر در خواص ماده ی ما خواهد شد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سمیه احمدی سلطانسرایی
گروه فیزیک، دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره) انتهای خیابان نوروزیان، قزوین .
شکوفه پور موسی
گروه فیزیک، دانشگاه بین المللی امام خمینی(ره)انتهای خیابان نوروزیان، قزوین .