تاثیر امواج مغناطیسی بر روی رسوب کلسیم کربنات در آب

زمینه و هدف: رسوب کلسیم کربنات در بسیاری از موارد مورد توجه بوده است، ازجمله اسیب های مهمی که در نصب داخلی، کشاورزی یا صنعتی ایجاد می کند. برای جلوگیری از این امر از روش های مختلف از جمله استفاده از مواد شیمیایی، جانشین کردن یون ها و استفاده از رزین و... وجود دارد که هر کدام معایب و مزایای دارند. در این مطالعه تاثیر امواج caco3 مغناطیسی بر روی رسوب میلی 25 بررسی می شود. مواد و روش ها : در این روش محلول با سختی معین تهیه ودر ظرف شیشه ای تمیز نگهداری می شود. چندین نمونه لیتر از این محلول جدا کرده و هرکدام به طور جداگانه تحت تاثیر میدان مغناطیسی باشدت مشخص برای مدت زمان مشخص قرار می گیرد. ( با توجه به شدت های مختلف میدان مغناطیسی و زمان های مختلف تعداد نمونه ها بیشترمی شود.) یک نمونه به عنوان نمونه شاهد با محلولی مشابه محلول اصلی که تحت تاثیر میدان نبوده است نیز تهیه می شود و سپس همه نمونه ها و غلظت یون کلسیم، هدایت الکتریکی pH ، مورد بررسی قرارگرفته و سختی , tds و... اندازه گیری شد. نتایج : پس از اعمال مغناطیسی تغییرات در میزان رسوب ثبت شده و نمونه شاهد مورد بررسی قرار گرفته و یافته ها نشان می دهد که اعمال میدان مغناطیسی روی رسوب کلسیم کربنات تاثیر معناداری دارد که ممکن است تشکیل رسوب کلسیم کربنات رابا سرکوب هسته و شتاب در رشد کریستال انجام دهد. در این روش در واقع ذرات و رسوبات کلسیم کربنات تشکیل شده تحت تاثیر میدان قرار می گیرد. نتیجتا میتوان گفت اعمال میدان مغناطیسی منجر به رسوب و تجمع ذرات کلسیم کربنات در محلول و بر روی سطح می شود و میزان میدان و زمان پارامترهای مهم هستند که رسوب کلسیم کربنات در مکانیزم های یونی و ذرات را تحت تاثیر میدان قرار می گیرد. نتیجه گیری: نتیجتا می توان گفت اعمال میدان مغناطیسی منجر به رسوب و تجمع ذرات کلسیم کربنات در محلول و بر روی سطح می شود و میزان میدان و زمان پارامترهای مهم هستند که رسوب کلسیم در مکانیزم های یونی و ذرات را تحت تاثیر قرار می دهند.

کلیدواژه ها:

مغناطیس ، کربنات کلسیم ، رسوب ، آب