ساخت نیمه رسانای نوع n و p از لایه نازک ZnTe با نفوذ ناخالصی اکسیژن

کنترل نوع رسانایی نیمه عایق هایی که شامل عنصر روی هستند با مشکلات زیادی روبرو است در این تحقیق دو روش نفوذ ناخالصی اکسیژن در ماده ZnTe بمنظور تولید نیمه هادی نوع N,p مورد بررسی قرار گرفت 1-لایه نشانی با دمای بالا و سپس عملیات حرارتی در کوره معمولی برای تولید نیمه رسانای n .2- ورود گاز اکسیژن به محفظه در حین لایه نشانی در دمای اتاق برای تولید نیمه رسانای نوع p در پژوهش زیر لایه نشانی فیلمهای تلورید روی به روش تبخیر حرارتی در خلاحدود 0.00001 انجام شد.اندازه گیریهای انجام شده از طریق اثر هال مشخص شد که لایه های حرارت داده شده با دمای 600 در اتمسفر از آنجاییکه غلظت اکسیژن در آنها بالاست نیمه رسانای نوع n هستند و فیلمهایی که در حین لایه نشانی در معرض اکسیژن قرار گرفته اند نیمه رسانای نوع p میباشند تصاویر SEM نشان میدهند که اندازه ساختار لایه های رشد داده شده در دمای بالاتر بزرگتر است.در حالیکه فیلمهایی که بادمای زیر لایه پایین تر لایه نشانی شده اند دانه بندیهای کوچکتری دارند.