طراحی یک اسیلاتور حلقوی کنترل شده با ولتاژ به همراه کنترل آینده نگر توان پایین PLL با تکنولوژی FinFET
سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 897
فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
TECCONF03_028
تاریخ نمایه سازی: 5 آبان 1397
چکیده مقاله:
در این مقاله چند اسیلاتور کنترل شده با ولتاژ حلقوی((Ring VCO با رویکرد توان پایین در تکنولوژیهایCMOS و FinFET مورد بحث و بررسی قرار گرفته است. با استفاده از تکنیک بالک درایور، تغییر در تکنولوژی ساخت و کاهش ولتاژ تغذیه در ولتاژهای زیرآستانه در این اسیلاتورها موجب کاهش چشمگیر توان مصرفی نسبت به مدلهای مشابه قبلی شده است. شبیهسازیها با نرم افزار HSPICE و مقایسه با پارامترهای تکنولوژی 90 نانو متر و 20 نانو متری در فرکانس 400 مگاهرتز به ترتیب دارای توان تلفاتی 480 و 100 نانو وات و ولتاژ تغذیه 0/35 و 0/26 ولت شده است.
کلیدواژه ها:
حلقه قفل شده فاز ، اسیلاتور کنترل شده با ولتاژ ، توان پایین ، بالک درایو ، ولتاژ زیر آستانه ، FinFET
نویسندگان
علی مولوی
دانشجوی کارشناسی ارشد مدارات مجتمع الکترونیک دانشکده مهندسی برق، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، ایران.
علیرضا حسن زاده
استادیار گروه مهندسی برق، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، ایران
محسن عبداللهی پور
دانشجوی کارشناسی ارشد مدارات مجتمع الکترونیک دانشکده مهندسی برق، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، ایران.