تاثیر پتانسیل زتا بر نحوه رسوب نانو ذرات خنثی در پوششهای نانوکامپوزیتی حاصل از آبکاری الکتریکی منقطع

سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 3,007

فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

INCC11_001

تاریخ نمایه سازی: 3 مهر 1388

چکیده مقاله:

در فرایند آبکاری الکتریکی به خوبی می توان با استفاده از اضافه شونده های کمپلکس ساز درصد عناصر آلیاژی را در پوشش های آلیاژی کنترل نمود و این در حالی است که برای ایجاد پوشش های کامپوزیتی دارای ذرات خنثی براحتی نمی توان نوع و درصد ذرات رسوبی را کنترل نمود. در این تحقیق جهت کنترل درصد ذرات خنثی در پوششهای کامپوزیتی از خاصیت پتانسیل زتا و عوامل موثر بر آن استفاده شده است. به این ترتیب با استفاده از حمام واتز و ذرات نانو آلومینا پوشش کامپوزیتی زمینه نیکلی برروی ورقه های مسی به روش آبکاری الکتریکی منقطع تهیه و ضمن تغییر پارامترهای آبکاری پوشش بدست آمده از نظر ساختار متالورژیکی و ترکیب شیمیایی با میکروسکوپ XRD,EDX,SEM مورد بررسی قرار گرفت. نتایج حاصله نشان دهنده آن است که PH محلول چگالی جریان از مهمترین پارامترهای موثر بر میزان رسوب نانو ذرات خنثی در پوشش می باشد.

کلیدواژه ها:

نویسندگان

علیرضا نصراصفهانی

عضو هیات علمی دانشگاه صنعتی مالک اشتر (اصفهان)

سیدجواد دانشی

کارشناس ارشد متالورژی، ذوب آهن اصفهان

عبدالحمید جعفری

عضو هیئت علمی دانشگاه شهید باهنر کرمان

غلامرضا گردانی

عضو هیات علمی دانشگاه صنعتی مالک اشتر (اصفهان)

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Habib Bouzid . Mtrielle Rabiller-B audy _ Impact _ ad ...
  • _ Bugos-Motes _ Redrgo Moreno. Stability of cocentraded suspasims of ...
  • Yu-Piag Zeng , _ _ _ Bfect of crgaic additives ...
  • David C. Koopman; Factors _ _ Tackizess ofDWPF Streams ...
  • malve Astrmemts: _ An mtroducti t 30 miautes. 2007- PP. ...
  • I.R.de ol iv e irap-.epuveda, V. _ Hetrede locculation _ ...
  • نمایش کامل مراجع