بررسی کارایی مدارهای Level Shifter در فناوری FinFET

با کوچک تر شدن ابعاد افزاره ها و افزایش مصرف توان، طراحان فناوری FinFET را جایگزین فناوری CMOS کرده اند. این فناوری قابلیت کوچک سازی افزاره ها را فراهم می کند و علاوه بر این به دلیل کنترل عالی گیت بر روی کانال در این فناوری، می تواند مصرف توان را کاهش دهد. در این مقاله هدف بررسی عملکرد مدارهای تبدیل سطح ولتاژ طراحی شده در فناوری CMOS با استفاده از فناوری FinFET است. با استفاده از نتایج شبیه سازی توسط نرم افزار HSPICE مشخص گردید که با استفاده از ترانزیستورهای FinFET چند گیتی و اعمال ولتاژ مناسب به گیت پشتی آنها می توان انرژی مصرفی و تاخیر مدار را کاهش و بازه تبدیل را افزایش داد. اما تغییر فناوری ترانزیستورها می تواند منجر به ایجاد مشکلاتی نظیر Kickback Noise گردد که باید با تغییر ساختار اصلاح گردد.

کلیدواژه ها:

فناوری FinFET ، اثر Kickback Noise ، مدار تبدیل سطح ولتاژ