طراحی Level Shifter توان پایین با استفاده از ترانزیستور FinFET چند گیتی
محل انتشار: چهارمین کنفرانس ملی مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 689
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NEEC04_070
تاریخ نمایه سازی: 11 شهریور 1397
چکیده مقاله:
در این مقاله، مدار تبدیل سطح ولتاژ توان پایینی طراحی شده است که قابلیت تبدیل ولتاژهای ورودی کم به ولتاژهای خروجی زیاد را دارد. ساختار مدار تبدیل سطح ولتاژ، شامل یک مدار تصحیح خطای منطقی و یک طبقهLatch است. مدار تصحیح خطای منطقی در زمان انتقال جریان عملیاتی را تنها هنگامی که سطوح منطقی ورودی و خروجی با هم برابر نیستند، تولید می کند و طبقه Latch به دلیل ساختار فیدبک مثبت، سرعت مدار را افزایش می دهد. در مدار طراحی شده از تکنیک Back-Gate فناوری FinFET و آیینه جریان ویلسون بهبود یافته PMOS استفاده شده است تا از مزایای آنها بهره ببریم. نتایج شبیه سازی مدار پیشنهادی توسط نرم افزار HSPICE بیانگر آن است که تاخیر در مدار پیشنهادی 1 نانوثانیه و انرژی مصرفی آن 5 / 1 پیکوژول است. همچنین این مدار توانایی تبدیل ولتاژهای ورودی 10 میلی ولت را دارا است.
کلیدواژه ها:
مدار تبدیل سطح ولتاژ ، مدار تصحیح خطای منطقی ، فناوری FinFET ، آیینه جریان ویلسون بهبود یافته PMOS ، تکنیک Back-Gate
نویسندگان
فاطمه اسمعیلی
دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران
ابراهیم برزآبادی
دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران
هومان فرخانی
دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران