بررسی مشخصه های الکتریکی نانو ترانزیستور تونلی کانال P با پیوند نامتجانس :InAs-GaAs0/1Sb0/9
سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 403
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELECONFK04_023
تاریخ نمایه سازی: 11 شهریور 1397
چکیده مقاله:
در این مقاله ترانزیستور اثر میدانی تونلی نامتجانس InAs-GaAs0/1Sb0/9 نوع p مورد مطالعه و شبیه سازی قرار گرفته و اثر پارامترهای ساختاری و فیزیکی بر مشخصه های الکتریکی آن تبیین گردید. مطابق نتایج بدست آمده افزایش تراکم ناخالصی سورس احتمال تونل زنی در ترانزیستور را افزایش داده و موجب بهبود جریان حالت روشن میشود. همچنین با کاهش ضخامت بدنه و ضخامت اکسید گیت به نسبت جریان حالت روشن به خاموش 5×1011 و سویینگ زیر آستانه 13 mV/dec دست یافتیم. در ادامه، تحلیل آماری داده ها جهت مشخص نمودن میزان تغییرات جریان حالت روشن، جریان حالت خاموش و سویینگ زیر آستانه نسبت به پارامترهای ساختاری افزاره انجام شده است. تابع کار گیت، آلایش سورس/ درین و ضخامت عایق گیت از پارامترهای تاثیر گذار بر مشخصه الکتریکی ترانزیستور تونلی میباشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مریم خانی
دانشجوی کارشناسی ارشد، گروه الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام (ره) شهر ری،
زهرا آهنگری
استادیار، گروه الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام (ره) شهر ری
حامد نعمتیان
استادیار، گروه الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام (ره) شهر ری