Micromagnetic analysis of Heusler alloy-based perpendicular double barrier synthetic antiferromagnetic free layer MTJs
محل انتشار: فصلنامه فیزیک تئوری و کاربردی، دوره: 9، شماره: 3
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 419
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JTAP-9-3_005
تاریخ نمایه سازی: 27 مرداد 1397
چکیده مقاله:
We investigate spin transfer torque switching ina perpendicular double barrier synthetic antiferromagneticfree layer MTJ stack using micromagnetic simulations. Forthe material used in free layers, we use two different CobaltbasedHeusler alloys and compare their performance on thebasis of switching speed, thermal stability and Tunnelmagnetoresistance. We show that for Heusler alloysswitching from one state to other is significantly faster butthey suffer from the drawback of low thermal stability.
کلیدواژه ها:
Magnetic tunnel junctions Micromagnetic simulations Perpendicular anisotropy Synthetic antiferromagnet Heusler alloys
نویسندگان
Bahniman Ghosh
Microelectronics Research Center, University of Texas at Austin, ۱۰۱۰۰, Burnet Road, Bldg. ۱۶۰, Austin, TX ۷۸۷۵۸, USA- Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Kanpur, Kanpur ۲۰۸۰۱۶, India
Kshitij Dwivedi
Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Kanpur, Kanpur ۲۰۸۰۱۶, India