مقایسه و بررسی عملکرد سلول های SRAM در تکنولوژی CNTFET

فناوری MOSFET با ابعاد کمتر از 10 nm دارای محدودیت هایی از لحاظ سایز، توان مصرفی و سرعت می باشد. در الکترونیک دیجیتال عناصر حافظه نقش مهمی را دارندکه در این میان SRAM ها به دلیل داشتن قابلیت نگهداری اطلاعات متداول ترین عناصر حافظه ای هستند که در سیستم دیجیتال به کار میروند. با رشد و توسعه فناوری کوچک سازی ابعاد مدارهای SRAM با چالش های بزرگی نظیر تاخیر، حاشیه نویز و پایداری رو به رو هستند. در این مقاله کارکرد سلول SRAM شش، هفت، هشت، نه و ده ترانزیستوری را با لحاظ نمودن حاشیه نویز استاتیک، حاشیه نویز نوشتن، تاخیر خواندن و توان مصرفی مورد مقایسه قرار گرفته اند. برای در نظر گرفتن ویژگی های غیر ایده آل CNTFET ها تغییرات قطر نانولوله و اثر لوله های هادی در ساختار سلول های SRAM شش، هفت، هشت، نه و ده ترانزیستوری در نظر گرفته شده است و تغییرات کمیت هایی نظیر حاشیه نویز استاتیک، حاشیه نوشتن، تاخیر خواندن و توان مصرفی ناشی از این ویژگی های غیر ایده آلی، در نظر گرفته شده اند

کلیدواژه ها:

سلول حافظه ، SRAM ، حاشیه نویز استاتیک ، CNTFET