تاثیر بارهای قطبش بر نرخ بازترکیب تشعشعی در دیودهای گسیل کننده ی نوری مبتنی بر چاه های پتانسیل InGaN/GaN
محل انتشار: ششمین کنفرانس ملی ایده های نو در مهندسی برق
سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 663
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCNIEE06_067
تاریخ نمایه سازی: 1 مرداد 1397
چکیده مقاله:
بارهای قطبش1 یکی از مهمترین جنبه هایی است که در چاه های پتانسیل InGaN/GaN بدان توجه میشود. این بارها باعث جدایی توابع موج الکترون و حفره میگردد و همین موضوع باعث میشود تا انتگرال همپوشانی کاهش یابد. کاهش انتگرال همپوشانی سبب میگردد تا حد زیادی بهرهی دیودهای گسیل کنندهی نوری را نیز کاهش دهد زیرا انتگرال همپوشانی رابطهی مستقیمی با نرخ بازترکیب خودبهخودی نوری دارد. به طور کلی در این مقاله یک ساختار مناسب ارایه شده است تا تجمع بارهای قطبش کم شود و برای نشان دادن این موضوع نمودار نرخ بازترکیب تشعشعی، توابع موج حامل ها، دیاگرام انرژی و همچنین میزان بار تجمع شده را در ساختار جدید و قدیم بررسی شده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
شیرین حاجی علی زاده
دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد خوراسگان،
عاطفه سلیمی شهرکی
دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد خوراسگان،