بررسی عملکرد یک تقویت کننده کم نویز برای کاربردهای بسیار کم توان بلوتوث در تکنولوژی 180 نانومتر CMOS

در این مقاله یک تقویتکننده کم نویز با توان بسیار پایین طراحی شده است. در ساختار طراحی شده با استفاده از مقاومت فیدبک و همچنین استفاده دوباره از جریان ترانزیستور NMOS بهوسیله ترانزیستور PMOS تا حدود زیادی مصرف توان کاهش داده شده و در عین حال ترا رسانایی تقویتکننده تقریبا0 دو برابر شده است. در این ساختار در نقاطی که بارهای خازنی باعث افت پهنای باند شده بودند از سلفهای مناسب استفاده کرده و پهنای باند تا حدود زیادی گسترش داده شده است. تقویتکننده پیشنهادی در پروسه 180 نانومتر CMOS، با استفاده از نرم افزار cadence شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که تقویت کننده طراحی شده توان مصرفی در حدود 0/99 میلی وات و بهره بزرگتر از 12 دسیبل، در فرکانس مرکزی 2 /4 گیگاهرتز دارا می باشد. عدد نویز این ساختار در این فرکانس کمتر از 2/8 دسیبل است.

کلیدواژه ها:

بهره ولتاژ ، پهنای باند ، تطبیق ورودی ، خطسانی ، عدد نویز