تاثیر تابکاری بر روی لایو نازک اکسید تنگستن بو منظور کاربرد در سیستم آینوی گرمایی
محل انتشار: بیست و یکمین همایش بلور شناسی و کانی شناسی ایران
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 393
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
SCMI21_136
تاریخ نمایه سازی: 16 تیر 1397
چکیده مقاله:
سیستم سه لایه ی دی الکتریک/فلز/دی الکتریک لایه نشانی شده بر روی شیشه، میتواند به عنوان یک فیلتر اپتیکی که طیف مادون قرمز امواج الکترومغناطیس را بازتاب و به بیشتر امواج مریی اجازه ی عبور میدهد به کار رود. دراین تحقیق از اکسیدتنگستن به عنوان دیالکتریک و از نقره برای پوشش فلزی بازتاب دهنده استفاده شد. لایه ی نازک اکسید تنگستن با استفاده از تکنیک تبخیر با پرتو الکترونی لایه نشانی شد. اثر دما و مدت تابکاری بر روی ساختار و خواص اپتیکی لایه ها بررسی شد. تابکاری در خلا و در دماهای مختلف انجام شد. مورفولوژی سطح با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی مورد بررسی قرار گرفت که نشان داد که اندازه ی مولکولها وابسته به دمای تابکاری میباشد.
نویسندگان
قاسم کاوه ای
کرج مشکین دشت پژوهشگاه موادوانرژی
آیدین های فکور
پژوهشگاه موادوانرژی پژوهشکده نیمه هادی ها
سعید نیک بین
پژوهشگاه موادوانرژی پژوهشکده نیمه هادی ها