بررسی رفتاراکسیداسیون دمابالای پوشش های تدریجی هدفمند بر پایه SiC

به منظور محافظت از قطعات کربنی در برابر اکسیداسیون از انواع پوشش های تک لایه و چند لایه استافده می شود. در این میان SiC به عنوان پوششی که دارای انطباق فیزیکی و شیمیایی مطلوبی با زیر لایه کربنی است، گزینه مناسبی محسوب می شود. در ا ین پژوهش جهت افزایش مقاومت در برابر اکسیداسیون از پوشش های تک لایه SiC استفاده شد. پوشش با استفاده از روش رخنه دهی واکنشی مذاب RMI در بستری از پودرهای Si ، SiC Al2O3 در دمای 1600 درجه سانتی گراد و در اتمسفر گاز آرگون بر روی زیر لایه گرافیتی اعمال گردید. بررسی های میکروسکوپ الکترونی و آنالیز XRD تشکیل پوشش گرادیانی SiC با ضخامت تقریبی μm 500 همراه با شیب غلظتی عناصر Si,C در ضخامت پوشش را تایید می نماید. نمونه های پوشش داده شده تحت آزمایش اکسیداسیون هم دما در دمای 1600 درجه سانتیگراد قرار گرفتند. تغییرات وزنی نمونه ها نشان دهنده افزایش قابل توجه مقاومت به اکسیداسیون در اثر اعمال پوشش می باشد میزان کاهش وزن در پوشش های تک لایه C/SiC پس از 28 ساعت اکسیداسیون در دمای 1600 درجه سانتیگراد برابر با 29/14% وزنی است.

کلیدواژه ها:

گرافیت ، اکسیداسیون ، پوشش تدریجی ، کاربید سیلیسم