یک سنسور میدان مغناطیسی تشدیدی با خروجی پیزوالکتریک مبتنی بر فناوری MEMS

در این مقاله یک میکروسنسور میدان مغناطیسی تشدیدی مبتنی بر فناوری سیستم های میکرو الکترومکانیکی با مکانیسم خروجی پیزوالکتریک طراحی و شبیه سازی شده است ساختار میکروسنسور شامل یک سازه تشدیدی متقارن بهصورت یک حلقه مستطیلی الاکلنگی به ابعاد μm450×700μm با باریکه هایی با ضخامت 5 μm است عملکرد میکروسنسور با استفاده از سه ماده متفاوت شامل سیلیکون و ژرمانیوم و گالیوم آرسناید مورد بررسی قرار گرفته است ساختار از جنس سیلیکون دارای فرکانس تشدید kHz 27/337 حساسیت 4/165 V/Tو2/78 V/Tو1/39 V/T به ترتیب برای جریان های Irms برابر با 30 mA و 20 mA و 10 mA بوده و ساختار از جنس ژرمانیوم دارای فرکانس تشدید kHz 16/148 حساسیت 4/985 V/T و V/T 3/325 و V/T1/66 به ترتیب برای جریانهای Irms برابر با 30mAو 20mA و 10 mA می باشد همچنین برای سازه طراحی شده از جنس گالیوم آرسناید فرکانس تشدید برابر با 14/867 kHz بوده و حساسیت آن V/T5/65 و V/T 3/76 و V/T1/88 به ترتیب برای جریان های Irmsبرابر با 30 mAو20 mAو 10mA به دست آمده است شبیه سازی میکرو سنسور پیشنهادی با بهره گیری از نرم افزار COMSOL Multiphysics انجام شده است

کلیدواژه ها:

سنسور میدان مغناطیسی ، نیروی لورنتس ، فرکانس تشدید ، سیستم های میکرو الکترومکانیکی ، MEMS