بررسی رفتار مد نقص در بلورهای مگنتو فوتونی یک بعدی

در این بررسی ساختارهای لایه ای مغناطیسی موسوم به بلورهای مگنتوفوتونی شامل لایه نقص مغناطیسی را بررسی کردیم در این بررسی از روش ماتریس 4x4 استفاده کردیم طیف تراگسیل بلور مگنتو فوتونی را با بهره گیری از روش ماتریس انتقال بررسی کرده و نشان دادیم که در این ساختار های لایه ای مد تشدیدی در طول موج ꝩ= 1550nm در طیف تراگسیل آنها ظاهر میشود نتایج نشان داد که مکان این مد نقص مستقل از مقدار میدان مغناطیسی اعمال خارجی میباشد تاجایی که با افزایش میدان مغناطیسی خارجی تا حد اشباع مکان مد نقص ثابت میماند در حالی که میزان تراگسیل آن تابع میدان مغناطیسی اعمالی میباشد هم چنین با فاصله گرفتن از مقدار ضخامت بهینه لایه نقص از میزان تراگسیل مد نقص کاسته میشود به نظر میرسد نتایج حاصله در طراحی ادوات اپتیکی بر پایه بلورهای مگنتوفوتونی مفید واقع شوند