ارایه یک مدار تمام جمع کننده ترکیبی مبتنی بر ترانزیستورهای MOSFET با انرژی مصرفی حداقل
سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 594
فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF05_718
تاریخ نمایه سازی: 21 اردیبهشت 1397
چکیده مقاله:
یکی از اصلی ترین عملگرهای محاسباتی در مدارات مجتمع با مقیاس بسیار بالا نظیر ریزپردازنده ها و پردازش سیگنال های دیجیتال، جمع کننده ها می باشند. توان مصرفی و تاخیر انتشار مهمترین پارامترهای کارایی در مدارات مجتمع با مقیاس بسیار بالا می باشند. در این مقاله با هدف بهبود پارامترهای توان مصرفی و تاخیر انتشار، یک مدار جمع کننده ی ترکیبی با استفاده از ترانزیستورهای MOSFET ارایه شده است. مدار پیشنهادی به همراه مدارات ارایه شده قبلی با استفاده از شبیه ساز HSPICE و در فناوری 32 نانومتر، شبیه سازی و تحلیل شده اند. شبیه سازی مدارات به ازای فرکانس های متفاوت، خازن های بار متفاوت و ولتاژهای متفاوت انجام شده است. طبق نتایج حاصل از شبیه سازی، مدار ترکیبی ارایه شده در این مقاله، پارامترهای توان مصرفی، تاخیر انتشار و انرژی مصرفی را به طور قابل ملاحظه ای بهبود بخشیده اند.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
رسول کاظمی
دانشکده مهندسی کامپیوتر و فناوری اطلاعات، واحد قزوین، دانشگاه آزاد اسلامی، قزوین، ایران
اسماعیل زینالی
استادیار دانشکده مهندسی کامپیوتر و فناوری اطلاعات، واحد قزوین، دانشگاه آزاد اسلامی، قزوین، ایران
سیدسعید حاجی نصیری
استادیار دانشکده مهندسی برق، پزشکی و مکاترونیک، واحد قزوین، دانشگاه آزاد اسلامی، قزوین، ایران