طراحی یک تقویت کننده توزیع شده جدید با پهنای باند بالا و نویز کم در تکنولوژی 0/13 CMOSمیکرومتر

در این مقاله یک تقویت کننده توزیع شده CMOS که در سلول بهره آن از ترکیب دو ساختار کسکود تنظیم شده استفاده شده ارایه و در تکنولوژی 0.13 µm CMOS شبیه سازی شده است. توپولوژی ارایه شده در این مقاله باعث می شود تا پهنای باند این تقویت کننده به صورت چشمگیری افزایش یابد. از مزیت های مهم دیگر این طراحی می توان به بهره بالا، نویز خیلی کم و حفظ کامل تطبیق امپدانس ورودی و خروجی اشاره نمود که در مقایسه با کارهای انجام شده در این تکنولوژی برتری آن کاملا0 محسوس می باشد. تعداد طبقات تقویت کننده در بهینه ترین حالت محاسبه شده و تعداد آن سه طبقه می باشد. بهره تقویت کننده پیشنهادی 16/7±0/6 و پهنای باند 3-dB آن 26/5 گیگا هرتز می باشد. تطبیق امپدانس ورودی و خروجی و ایزولاسیون معکوس بسیار خوب از مزیت های دیگر آن بوده که باعث پایداری بیشتر تقویت کننده گردیده است. نویز این تقویت کننده نیز دارای مقدار میانگین dB 2/86 می باشد و توان مصرفی آن 51/54 میلی وات می باشد.