طراحی یک تقویت کننده کم نویز کسکود ولتاژ پایین با خطینگی بالا بهکمک روش تزویج مغناطیسی در باند45 GHz
سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 582
فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_TJEE-47-2_036
تاریخ نمایه سازی: 15 اردیبهشت 1397
چکیده مقاله:
در این مقاله یک LNA کسکود ولتاژ پایین با خطینگی بالا با استفاده از روش تزویج مغناطیسی در باند فرکانس ی GHz 45 با استفاده ازتکنولوژی μm RF-CMOS 0/18 شرکت TSMC ارایه شده است. از روش تزویج مغناطیسی جهت کاهش ولتاژ منبع تغذیه و کاهش اثرات غیرخطی رسانایی درین ترانزیستور کسکود ورودی بهکار گرفته شده است. به کمک یک ساختار سورس مشترک و ایجاد یک مسیر اضافی اثرات غیرخطی ترارسانایی ترانزیستور ورودی در خروجی طبقه اول کاهش داده شده است. شبکه میانگذر ورودی و ساختار شانت پیکین خروجی جهت دستیابی به تطبیق پهنباند در ورودی و خروجی تقویت کننده به کار گرفته شده اند. این LNA دو طبقه دارای بهره سیگنال کوچک dB 9 و عدد نویز dB 4 در فرکانس GHz 45 است. مقدار IIP3 تقویت کننده کم نویز پیشنهادشده dBm +3/8 بوده که در مقایسه با ساختار کسکود با استفاده از روش تزویج پایه dBm +4 بهبود داشته است. این تقویت کننده دارای پهنای باند dB ،9 GHz 68 بوده و تلفات بازگشت در سرتاسر پهنای باند بهتر 10DDb است. تقویت کننده کم نویز پیشنهادی با ولتار منبع تغذیه6/7mWاست
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مهران نظری
دانشجوی کارشناسی ارشددانشکده مهندسی برق دانشگاه علم و صنعت ایران تهران ایران
جواد یاوندحسنی
استادیاردانشکده مهندسی برق دانشگاه علم و صنعت ایران تهران ایران