مطالعه نظری توزیع شدت در ساختار ارتعاشی جهش الکترونی مجاز (فرمول درمتن مقاله) در مولکول سیس هگزاتری ان

دراین تحقیق، روش حیطه زمان برای محاسبه ساختار ارتعاشی الکترونی طیف جذبی 11A1 11B1مولکول سیس 1،3،1 هگزاتریان در تقریب کوندون در دمای صفر کلوین به کار برده شده است. در این روش، طیف جذبی مولکولها را میتوان برحسب تبدیل فوریه توابع همبستگی زمانی مناسب به دست آورد که برای سطوح پتانسیل هماهنگ جابهجا شده تغییر شکل یافته چرخیده به شکل بسته محاسبه میشوند. بدین ترتیب، شدت نسبی اغلب نوار های ارتعاشی الکترونی را که در طیف جذبی ظاهر شدهاند، پیشبینی و با دادههای تجربی و نظری در دسترس مقایسه شده است. طیف حاصل عمدتا از نوارهایی شامل سه شیوه متقارن کامل v5 (کششی پیوند دوگانه CC )، v9 (کششی پیوند ساده ( CC و 12v (خمشی زاویهای اسکلتی) تشکیل می شود که از میان آنها 5v و 9 v شیوههای ارتعاشی هستند که طولانی ترین تسلسلها را بنا میکنند و بالاترین شدت را دارند؛ در صورتی که 21v فعالیت کمتری دارد. طیف، همچنین، نوارهای ترکیبی مانند 51 91 و 51 121 را نشان میدهد که به وسیله شیوههای a1 ایجاد میشوند.

کلیدواژه ها:

سیس هگزاتریان ، طیف جذبی ، تبدیل فوریه توابع همبستگی ، روش حیطه زمان