ارایه یک تقویت کننده کم نویز باند پهن بدون اندوکتانس در تکنولوژیCMOS

در این مقاله یک تقویت کننده کم نویز باندپهن بدون اندوکتانس ارایه شده است. برای بهبود پارامتر نویز فیگر از تکنیک حذف نویز استفاده شده است. توپولوژی مدار به صورت ترکیب مدار گیت مشترک با سورس مشترک می باشد که به صورت مدار بالون عمل کرده و سیگنال تک سر دریافتی از آنتن را به یک سیگنال تفاضلی در خروجی تبدیل می کند. بهره مدار قابلیت تنظیم به صورت دیجیتالی را دارا می باشد و می تواند در دو مد بهره بالا و بهره پایین کار کند. تقویت کننده مذکور در تکنولوژی 180nm CMOS طراحی و به کمک نرم افزار ADS شبیه سازی گردید. نتایج بدست آمده از شبیه سازی ها نشان می دهد که نویز فیگر تقویت کننده پیاده سازی شده در بدترین حالت در بازه فرکانسی 0.2-4 GHz کمتر از 3.9 dB، متوسط بهره توان حدود 13.5 dB می باشد. کل توان کشیده شده از منبع تغذیه 1.5 V حدود 6.6 mW می باشد.

کلیدواژه ها:

تکنولوژی CMOS ، تقویت کننده کم نویز ، تقویت کننده بدون اندوکتانس ، تکنیک حذف نویز ، باندپهن