ایجاد و بررسی پوشش سرامیکی SiC بر سطح قطعات گرافیتی به منظور افزایش مقاومت به اکسیداسیون در دماهای بالا

به منظور افزایش مقاومت به اکسیداسیون قطعات گرافیتی در دماهای بالا از پوشش های سرامیکی دیرگداز استفاده می شود. در پژوهش حاضر نحوه ایجاد پوششی بر پایه سیلیکون کارباید (SiC) به روش Pack Cementation مورد بررسی قرار گرفت . بطوریکه از واکنش مستقیم سیستم پودری (SiC50% ،Al2O320%, Si30%) با زیرپایه کربنی در دمای 1700°C و به مدت سه ساعت تحت شرایط اتمسفر آرگون پوششی یکنواخت از SiC بر سطح قطعات ایجاد شد. در این تحقیق قطعات پوشش داده شده در دماهای بالا 900-1350° C و در حضور اکسیژن تست شدند و مشخص شد که تنها حضور پوشش باعث کاهش اکسیداسیون از 56/63% وزنی به 6/43% وزنی در دمای °1100C فاز شیشه ای در سطح پوشش بوجود خواهد آمد که جریان ویسکوز آن سبب پر شدن خلل فرج موجود در سطح شده و از نزدیک شدن اکسیژن به زیرپایه کربنی ممانعت کرده و مقاومت قطعه را در برابراکسیداسیون افزایش می دهد. چنانکه طبق نتایج حاصل، میزان اکسیداسیون نمونه های پوشش داده شده در دمای 1350C پس از 150 دقیقه به حدود3/6% وزنی کاهش یافت و این در حالیست که نمونه بدون پوشش در دمای °1350C پس از این زمان کاملاً اکسید شده و از بین رفت.