تحلیل و پیاده سازی مبدل رزونانسیLLC در توان 200 وات

سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 497

فایل این مقاله در 19 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICELE02_325

تاریخ نمایه سازی: 7 اسفند 1396

چکیده مقاله:

مبدل های تغذیه سوییچینگ قدرت، امروزه بطور وسیعی در سیستم های الکتریکی مورد استفاده قرار میگیرند. در طراحی این مبدل ها رسیدن به راندمان بالا، حجم و وزن کم، قیمت پایین و کیفیت توان بالا از اهمیت بالایی برخوردار میباشد. کاربردهای مختلف و رنج تغییرات گسترده در توانهای خروجی در منابع تغذیه باعث شده که انواع این مدارات با توپولوژی های مختلف مورداستفادهی طراحان قرار بگیرد. در مبدل های رزونانسی میتوان سوییچینگ نرم را برای سوییچ های قدرت فراهم کرد، به همین دلیل میتوان فرکانس سوییچینگ را به میزان زیادی بالا برد، که این مسیله موجب کاهش حجم مدار میشود. مبدل رزونانسی LLC از این دست توپولوژی ها میباشد. به منظور رفع عیب ضریب قدرت پایین و اعوجاج هارمونیکی، از یک طبقه مدار اصلاح ضریب توان در ورودی مبدل نیمپل استفاده شده است. با توجه به نتایج تجربی، مشاهده شد که ضریب توان مدار به بالای 0.98 افزایش یافت. برای رسیدن به مقدار مورد نیاز سلف، از فاصله هوایی برای هسته استفاده میشود. در نتیجه طراحی مشخصات ترانس با فاصله هوایی ارایه میشود که نتایج نشان میدهد عملکرد ترانس در مدار بهبود یافته است. نتایج حاصل از تست عملی مبدل ساخته شده با استفاده از ترانس طراحی شده، بدست آمد. راندمان 0.958 نشان دهنده عملکرد مطلوب و بهینه مدار است.

نویسندگان

بهرام شهریاری

گروه قدرت، دانشکده برق، واحد نجف آباد،دانشگاه آزاد اسلامی، اصفهان، ایران

مجید دهقانی

استادیار گروه برق، دانشگاه آزاد نجف آباد، اصفهان، ایران