طراحی تقویت کننده قدرت بر اساس پارامترهای مدل غیر خطی کورتیس

با توجه به گسترش روزافزون کاربردهای علم مخابرات والکترونیک، در دسترس بودن نیمه هادیهایی چون GaAs با کیفیت بالا و عملکرد بسیار خوب در فرکانس های بالا و سادگی استفاده آنها در مدارات مجتمع یکپارچه نیاز به استفاده از روش های جدیدی در طراحی های باند وسیع به خوبی مشخص میگردد. اصول طراحی مدارات فرکانس بالا بر پایه مدل های خطی پارامترهای S است . حال آنکه مدارات به صورت طبیعی دارای واکنشها و رفتارهای غیرخطی هستند.تحلیل و طراحی این تقویت کننده در حالت تحلیل خطی برای بدست آوردن پارامترهایی نظیر تضعیف خطوط گیت و درین و تحلیل غیرخطی کورتیس جهت فراهم نمودن توان حداکثر و بر مبنای آن تعیین مدار تطبیق در خطوط گیت و درین میباشد.

کلیدواژه ها:

توازن هارمونیکی ، مدهلای خطی ترانزیستور ، مدهلای غیخطی ترانزیستور GaASMESFET ، مدل غیخطی کورتیس