بررسی خواص اپتیکی فیلم نازک ZnS به روش تبخیر در خلاء (PVD)

لایه های نازک ZnS در دو دمای مختلف زیر لایه 25C و 200C و در ضخامت های مختلف 100-600nm روی زیر لایه شیشه به روش تبخیر در خلاء لایه نشانی شدند. طیف جذب و عبور برای تعیین گاف انرژی، ضریب جذب و ثابت خاموشی نمونه ها تهیه گردید. از بررسی این طیف ها مشخص شد که با افزایش دمای زیرلایه و یا ضخامت آنها گاف اپتیکی نمونه هاهکاهش می یابد. این پدیده می تواند به اثر کوانتومی سایز ذرات نسبت داده شود.

کلیدواژه ها:

لایه های نازک سولفید روی ، تبخیر گرمایی ، لایه پنجره در سلول خورشیدی