تاثیر زمان و دمای پوشش دهی شیمیایی لایه نازک Cds بر روی ITO از نظر ضخامت و عبور دهی نور سلول خورشیدی تولید شده
محل انتشار: دهمین سمینار ملی مهندسی سطح و عملیات حرارتی
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,307
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISSE10_047
تاریخ نمایه سازی: 1 فروردین 1388
چکیده مقاله:
ماده نیمه هادی CdS دارای خاصیت فتوولتاییک می باشد. از مواد نیمه هادی در ساخت سلولهای خورشیدی برای تبدیل انرژی خورشیدی به الکتریسیته استفاده می شود. در این پژوهش لایه نازک سولفید کادمیم بر روی زیرلایه ITO در سه زمان 220، 140 و 300 دقیقه و سه دمای °50C ، 55C , 60C به روش لایه نشانی شیمیایی پوشش داده شد. تاثیر زمان و دما بر روی ضخامت و عبوردهی نور بررسی شد. این عمل برای تعیین ضخامت مناسب جهت بهینه سازی و بهبود میزان جذب در لایه پوشش CdS صورت گرفت. میزان عبور نور در تمام نمونه ها بررسی شد و ملاحظه گردید که با افزایش دما و زمان پوشش دهی، ضخامت پوشش افزایش و میزان عبوردهی نور کاهش می یابد. برای بررسی کیفیت پوشش از میکروسکوپ الکترونی روبشی SEM و آنالیز پراش پرتو ایکس XRD استفاده شد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مهشید سام
گروه مهندسی مواد، دانشگاه شیراز
کمال جانقربان
گروه مهندسی مواد، دانشگاه شیراز
میلای مجتهدی
گروه مهندسی مواد و متالورژی دانشگاه علم و صنعت ایران
ابراهیم اصل سلیمانی
دانشکده مهندسی برق، دانشگاه شیراز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :