ورود
مقالات فارسیISIکنفرانسهاژورنالها

اتصالات اهمی غیر آلیاژی با رشد MOCVD +-InxGa1-xAs روی n-GaAs در دیود لیزر پرقدرت InGaAs/GaAs

محل انتشار: دوازهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,587

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:
https://civilica.com/doc/69341

شناسه ملی سند علمی:

ISCEE12_231

تاریخ نمایه سازی: 29 اسفند 1387

چکیده مقاله:

کاربرد رشد MOCVD لایه پوشاننده n+-InxGa1-xAs برای ایجاد یک اتصال اهمی غیر آلیاژی با ادوات بر پایه GaAs بررسی شده است. مقاومت اتصال ویژه خیلی پایینی (فرمول در متن اصلی مقاله) با استفاده از سیستم اتصال فلزی معمول Ni/AuGe/Ni/Au اندازه گیری شده است.یک مدل نظری برای تونل زنی از سد نیمه رسانا – فلز با استفاده از تقریب WKB بدست آمده است که تناسب خوبی را با نتایج آزمایشگاهی نشان می دهد. ساخت HPDL با استفاده از این لایه های پوشاننده ،InGaAs مقاومت بسیار پایین قطعه را تضمین می کند، که در مقایسه با ساختارهای HPDLی که از لایه های پوشاننده GaAs استفاده می کنند، چهار برابر کمتر است.

کلیدواژه ها:

اتصال اهمی ، سد پتانسیل نیمه رسانا – فلز ، مقاومت اتصال ویژه ، InGaAs دیود لیزر پر قدرت

نویسندگان

حسن قاضی اسدی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده فنی و مهندسی

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • and Electricalه، _ [11] K.G. Merkel and V.M. Bright, structural ...
  • T. V. Blank and Yu. A. Gol'dberg, , 'Mechanism of ...
  • Kajiyama, Y. Mizushima, and S. Sakata, *Schottky barrier height of ...
  • G.K. Reeves and H.B. Harrison, " Obtaining the Specific Contact ...
  • A. Y. C. Yu, ،Electron tunneling and contact resistance of ...
  • R. K. Kupka and W. A. Anderson, ،Minimal ohmic contact ...
  • E. Mersbacher, *Quantum Mechanics ', 3rd ed Wiley, New York, ...
  • S. M. Cho, and H. H. Lee, "Specific Resistivity of ...
  • Shenai and R. W. Dutton, 44Current transport mechanisms in atomically ...
  • P. Bhattacharya, "Properties of Indium Gallium Arsenide', INSPEC IEEE, 1994. ...
  • N. Watanbe and T. Nittono, * Low -Temperature Metalorganic Chemical ...
  • N.A. Papanicolaou and S.H. Jones, "High Tempreature Characteristic Of Amorphous ...
  • Anna .Szerling _ _ w-resistance p-type ohmic contacts for high-power ...
  • J.M. Woodall and J.L. Freeouf, «Ohmic Contacts to n-GaAs Using ...
    • نمایش کامل مراجع